局放儀怎樣準確測量局部放電？
局放理論概述
一、局部放電的定義及產生原因
在電場作用下，絕緣系統中只有部分區域發生放電，但尚未擊穿，（即在施加電壓的導體之間沒有擊穿）。這種現象稱之為局部放電。局部放電可能發生在導體邊上，也可能發生在絕緣體的表面上和內部，發生在表面的稱為表面局部放電。發生在內部的稱為內部局部放電。而對于被氣體包圍的導體附近發生的局部放電，稱之為電暈。由此
總結一下局部放電的定義，指部分的橋接導體間絕緣的一種電氣放電，局部放電產生原因主要有以下幾種：
電場不均勻。
電介質不均勻。
制造過程的氣泡或雜質。*經常發生放電的原因是絕緣體內部或表面存在氣泡；其次是有些設備的運行過程中會發生熱脹冷縮,不同材料特別是導體與介質的膨脹系數不同，也會逐漸出現裂縫；再有一些是在運行過程中有機高分子的老化，分解出各種揮發物，在高場強的作用下，電荷不斷地由導體進入介質中，
在注入點上就會使介質氣化。
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二 、局部放電的模擬電路及放電過程簡介
介質內部含有氣泡，在交流電壓下產生的內部放電特性可由圖1—1的模擬電路(a b c等值電路)予以表示；其中Cc是模擬介質中產生放電間隙(如氣泡)的電容；Cb代表與Cc串聯部分介質的合成電容；Ca表示其余部分介質的電容。
(a) 實際介質 (b) 模擬電路
I——介質有缺陷(氣泡)的部份(虛線表示)
II——介質無缺陷部份
圖1—1 表示具有內部放電的模擬電路
圖1—1中以并聯有—對火花間隙的電容Cc來模擬產生局部放電的內部氣泡。圖1—2表示了在交流電壓下局部放電的發生過程。
圖1-2 介質內單個氣泡在交流電壓下的局部放電過程
U(t)一一外施交流電壓
Uc(t)一一氣泡不擊穿時在氣泡上的電壓
Uc’(t)一一有局部放電時氣泡上的實際電壓
Vc一一氣泡的擊穿電壓
Y r一一氣泡的殘余電壓
Us—局部放電起始電壓(瞬時值)
Ur一一與氣泡殘余電壓v r對應的外施電壓
Ir一一氣泡中的放電電流
電極間總電容Cx=Ca＋(Cb×Cc)/(Cb＋Cc)=Ca電極間施加交流電壓 u(t)時，氣泡電容Cc上對應的電壓為Uc(t)。如圖2—1所示，此時的Uc(t)所代表的是氣泡理想狀態下的電壓（既氣泡不發生擊穿）。
Uc(t)=U(t)×Cb/Cc＋Cb
外施電壓U(t)上升時，氣泡上電壓Uc(t)也上升，當U(t)上升到Us時，氣泡上電壓Uc達到氣泡擊穿電壓,氣泡擊穿，產生大量的正、負離子，在電場作用下各自遷移到氣泡上下壁，形成空間電菏，建立反電場，削弱了氣泡內的總電場強度，使放電熄滅，氣泡又恢復絕緣性能。這樣的一次放電持續時間是極短暫的，對一般的空氣氣泡來說，大約只有幾個毫微秒(10的負8次方到10的負9次方秒)。所以電壓Uc(t)幾乎瞬間地從Vc降到Vr，Vr是殘余電壓；而氣泡上電壓Uc‘(t)將隨U(t)的增大而繼續由Vr升高到Vc時，氣泡再—次擊穿，發生又—次局部放電，但此時相應的外施電壓比Us小，為(Us-Ur)，這是因為氣泡上有殘余電壓Vr的內電場作用的結果。Vr是與氣泡殘余電壓Yr相應的外施電壓，如此反復上述過程，即外施電壓每增加(Us-Ur)，就產生一次局部放電．直到前—次放電熄滅后，Uc’(t)上升到峰值時共增量不足以達Vc(相當于外施電壓的增量Δ比(Us-Ur)小)為止。
此后，隨著外施電壓U(t)經過峰值Um后減小，外施電壓在氣泡中建立反方向電場，由于氣泡中殘存的內電場電壓方向與外電場方向相反，故外施電壓須經(Us+Ur))的電壓變化，才能使氣泡上的電壓達到擊穿電壓Vc，(假定正、負方向擊穿電壓Vc相等)，產生一次局部放電。放電很快熄滅，氣泡中電壓瞬時降到殘余電壓Vr(也假定正、負方向相同)。外施電壓繼續下降，當再下降(Us-Ur)時，氣泡電壓就又達到Vc從而又產生一次局部放電。如此重復上述過程，直到外施電壓升到反向蜂值一Um的增量Δ不足以達到(Us-Ur)為止。外施電壓經過一Um峰值后，氣泡上的外電場方向又變為正方向，與氣泡殘余電壓方向相反，故外施電壓又須上升(Us+Ur)產生第—次放電，熄滅后，每經過Us—Ur的電壓上升就產生一次放電，重復前面所介紹的過程。如圖1—2所示。
由以上局部放電過程分析，同時根據局部放電的特點（同種試品，同樣的環境下，電壓越高局部放電量越大）可以知道：一般情況下，同一試品在一、三象限的局部放電量大于二、四象限的局部放電量。那是因為它們是電壓的上升沿。（第三象限是電壓負的上升沿）。這就是我們測量中為什么把時間窗刻意擺在一、三象限的原因。
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三、局部放電的測量原理：
局放儀運用的原理是脈沖電流法原理，即產生一次局部放電時，試品Cx兩端產生一個瞬時電壓變化Δu，此時若經過電Ck耦合到一檢測阻抗Zd上，回路就會產生一脈沖電流I，將脈沖電流經檢測阻抗產生的脈沖電壓信息，予以檢測、放大和顯示等處理，就可以測定局部放電的一些基本參量（主要是放電量q）。在這里需要指出的是，試品內部實際的局部放電量是無法測量的，因為試品內部的局部放電脈沖的傳輸路徑和方向是極其復雜的，因此我們只有通過對比法來檢測試品的視在放電電荷，即在測試之前先在試品兩端注入一定的電量，調節放大倍數來建立標尺，然后將在實際電壓下收到的試品內部的局部放電脈沖和標尺進行對比，以此來得到試品的視在放電電荷。
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四、局部放電的表征參數
局部放電是比較復雜的物理現象，必須通過多種表征參數才能**的描繪其狀態，同時局部放電對絕緣破壞的機理也是很復雜的，也需要通過不同的參數來評定它對絕緣的損害，目前我們只關心兩個基本參數。
視在放電電荷——在絕緣體中發生局部放電時，絕緣體上施加電壓的兩端出現的脈動電荷稱之為視在放電電荷，單位用皮庫（pc）表示，通常以穩定出現的*大視在放電電荷作為該試品的放電量。
放電重復率——在測量時間內每秒中出現的放電次數的平均值稱為放電重復率，單位為次/秒，放電重復率越高，對絕緣的損害越大。
局放測試的試驗系統接線。
在了解了局部放電的基本理論之后，在本章我們的重點轉向實際操作，我們先介紹局部放電測試中常用的三種接法，隨后我們再介紹整個系統的接線電路，*后我們再分別介紹幾種典型的試品的試驗線路。
局部放電測試電路的三種基本接法及優缺點。
標準試驗電路，又稱并聯法。適合于必須接地的試品。
其缺點是高壓引線對地雜散電容并聯在 CX上，會降低測試靈敏度。
接法的串聯法，其要求試品低壓端對地浮置。
其優點是變壓器入口電容、高壓線對地雜散電容與耦合電容CK并聯，有利于提高試驗靈敏度。缺點是試樣損壞時會損壞輸入單元。
平衡法試驗電路：要求兩個試品相接近，至少電容量為同一數量級其優點是外干擾強烈的情況下，可取得較好抑制干擾的效果，并可消除變壓器雜散電容的影響，而且可做大電容試驗。缺點是須要兩個相似的試品，且當產生放電時，需設法判別是哪個試品放電。
值得提出的是：由于現場試驗條件的限制（找到兩個相似的試品且要保證一個試品無放電不太容易），所以在現場平衡法比較難實現，另外，由于采用串聯法時，如果試品擊穿，將會對設備造成比較大的損害，所以出于對設備保護的想法，在現場試驗時一般采用并聯法。
采用并聯法的整個系統的接線原理圖。
該系統采用脈沖電流法檢測高壓試品的局部放電量，由控制臺控制調壓器和變壓器在試品的高壓端產生測試局放所需的預加電壓和測試電壓，通過無局放藕合電容器和檢測阻抗將局部放電信號取出并送至局部放電檢測儀顯示并判斷和測量。系統中的高壓電阻為了防止在測試過程中試品擊穿而損壞其他設備，兩個電源濾波器是將電源的干擾和整個測試系統分開，降低整個測試系統的背景干擾。
根據上述原理圖可以看出，局部放電測試的靈敏度和準確度和整個系統密切相關，要想順利和準確的進行局部放電測試，就必須將整個系統考濾周到，包括系統的參數選取和連接方式。另外，在現場試驗時，由于是驗證性試驗，高壓限流電阻可以省掉。
幾種典型試品的接線原理圖。
（1）電流互感器的局放測試接線原理圖
a電流互感器接線
（2）電壓互感器的局放測試接線原理圖
A．工頻加壓方式接線原理圖
B．高頻加壓方式接線原理圖
為了防止電壓互感器在工頻電壓下產生大的勵磁電流而損壞，高壓電壓互感器一般采取自激勵的加壓方式。在電壓互感器的低壓側加一倍頻電源，在電壓互感器的高壓端感應出高壓來進行局部放電實驗。這就是通常所說的三倍頻實驗。其接線原理圖如下：
(3)高壓電容器.絕緣子的局放測試接線原理圖
(4) 發電機的局放測試接線原理圖
（5）變壓器的局部放電測試接線原理圖
我們僅僅是在原理性的總結了幾種典型試品的接線原理圖，至于各種試品的加壓方式和加壓值的多少，我們在做試驗的時侯要嚴格遵守每種試品的出廠檢驗標準或交接檢驗標準。
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第三章 概述
ＫＪＦ-2020智能局部放電檢測儀是我公司*新推向市場的新一代數字智能儀器，該儀器在原有產品JF-2002、JF-2006局放儀的基礎上采用嵌入式ARM系統作為中央處理單元，控制12位分辨率的高速模數轉換芯片進行數據采集，將采集到的數據存放在雙端口RAM中。實現從模擬到數字的跨越。使用26萬色高分辨率TFT-LCD數字液晶顯示模組實時顯示放電脈沖波形，配備VGA接口，可外接顯示器。與傳統的模擬式示波管顯示局部放電檢測儀相比有以下特點：
1.彩色顯示器，雙色顯示波形，更清晰直觀；
2.可鎖定波形，更方便仔細查看放電波形細節；
3.自動測量并顯示試驗電源時基頻率，無需手動切換；
4.配備VGA接口，可外接大尺寸顯示器；
5.與示波管相比壽命更長。
6.具有波形鎖定、打印試驗報告功能
本儀器檢測靈敏度高，試樣電容覆蓋范圍大，適用試品范圍廣，輸入單元（檢測阻抗）配備齊全，頻帶組合多（九種）。儀器經適當定標后能直讀放電脈沖的放電量。
本儀器是電力部門、制造廠家和科研單位等廣泛使用的局部放電測試儀器。
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第四章 主要技術指標：
1．可測試品的電容范圍： 6PF—250uF。
2．檢測靈敏度（見表一）：
表一
|
輸入單
元序號
|
調 諧 電 容
|
單 位
|
靈敏度（微微庫）
（不對稱電路）
|
|
1
|
6-25-100
|
微微法
|
0.02
|
|
2
|
25-100-400
|
微微法
|
0.04
|
|
3
|
100-400-1500
|
微微法
|
0.06
|
|
4
|
400-1500-6000
|
微微法
|
0.1
|
|
5
|
1500-6000-25000
|
微微法
|
0.2
|
|
6
|
0.006-0.025-0.1
|
微 法
|
0.3
|
|
7
|
0.025-0.1-0.4
|
微 法
|
0.5
|
|
8
|
0.1-0.4-1.5
|
微 法
|
1.0
|
|
9
|
0.4-1.5-6.0
|
微 法
|
1.5
|
|
10
|
1.5-6.0-25
|
微 法
|
2.5
|
|
11
|
6.0-25-60
|
微 法
|
5.0
|
|
12
|
25-60-250
|
微 法
|
10
|
|
7R
|
電 阻
|
|
0.5
|
3、放大器頻帶：
（1）低端：10KHZ、20KHZ、40KHZ任選。
（2）**：80KHZ、200KHZ、300KHZ任選。
4、放大器增益調節：
粗調六檔，檔間增益20±1dB；細調范圍≥20dB。每檔之間數據為10倍關系：如第三檔檢測數據為98，則**檔顯示數據為9.8，如在第三檔檢測數據超過120，則應調至**檔來檢測數據，所得數據應乘以10才為實際測量值。
5、時間窗：
（1）窗寬：可調范圍15°-175°；
（2）窗位置：每一窗可旋轉0°- 180°；
（3）兩個時間窗可分別開或同時開。
6、放電量表：
0-100誤差<±3％（以滿度計）。
7、橢圓時基：
（1）頻率：50HZ、或外部電源同步（任意頻率）
（2）橢圓旋轉：以30°為一檔，可作360°旋轉。
（3）顯示方式：橢圓—直線。
8、試驗電壓表：
精度：優于±3％（以滿度計）。
9、體積： 320×480×190（寬×深×高）mm3。
10、重量：約15Kg。
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三、系統工作原理：
本機的局部放電測試原理是高頻脈沖電流測量法（ERA法）。
試品Ca在試驗電壓下產生局部放電時，放電脈沖信號經藕合電容Ca送入輸入單元，由輸入單元拾取到脈沖信號，經低噪聲前置放大器放大，濾波放大器選擇所需頻帶及主放大器放大（達到所需幅值與產生零標志脈沖）后，在示波屏的橢圓掃描基線上產生可見的放電脈沖，同時也送至脈沖峰值表顯示其峰值。
時間窗單元控制試驗電壓每一周期內脈沖峰值的工作時間，并在這段時間內將示波屏的相應顯示區加亮，用它可以排除固定相位的干擾。
試驗電壓表經電容分壓器產生試驗電壓過零標志訊號，在示波屏上顯示零標脈沖，橢圓時基上兩個零標脈沖，通過時間窗的寬窄調節可確定試驗電壓的相位，試驗電壓大小由數字電壓表指示。
整個系統的工作原理可參看方框圖（圖一）。
四、結構說明
本儀器為標準機箱結構，儀器分前面板及后面板兩部分，各調節元件的位置及位置和功能見下圖說明。
1、4：長按改變門窗的位置
2、3：長按改變門窗的寬度
5：時鐘設置按鈕
6：按9號鍵鎖定后再按此鍵，即可打印試驗報告
7：分壓比設置按鈕
8：門開關，重復按可選擇左右門
9：波形鎖定按鍵
10：橢圓旋轉按鈕
11：顯示方式按鈕
12：取消按鈕
A、B、C通道選擇旋鈕與后面板A、B、C測量通道相對應
備注： 如需數據導出，步驟如下：
（1）在電腦上安裝好RS232通用串口線驅動。（驅動盤里有安裝介紹）及局放試驗報告編輯器軟件。
（2）將串口線和局放儀后面的數據接口連接好。
（3）將需要保存的波形鎖定然后點擊 局放試驗報告編輯器
（4）點擊Start鍵生成鎖定后的數據，然后點擊測試報告如下圖所示：
（5）點擊測試報告后則會出現局放試驗報告編輯器可以根據需要填寫上面的內容。
（6）填寫好表格后點擊生成報告數據會以Word文檔的形式出現，再將數據保存至電腦，如下圖所示：
圖一 局部放電檢測儀
第五章 操作說明
1、試驗準備：將機器后面板的三個開關都置于“關”的狀態
（1）檢查試驗場地的接地情況，將本儀器后部的接地螺栓用粗銅線（*好用編制銅帶）與試驗場地的接地妥善相接，輸入單元的接地短路片也要妥善接地。
（2）根椐試品電容Ca，藕合電容Ck的大小，選取合適序號的輸入單元（表一），表一中調諧電容量是指從輸入單元初級繞組兩端看到的電容（按Cx和Ck的串聯值粗略估算）。
輸入單元應盡量靠近被測試品，輸入單元插座經8米長電纜與后面板上輸入插座相接。
圖中：Ca——試品 Ck——藕合電容 Z——阻塞阻抗
R3、C3、R4、C4——橋式接法中平衡調節阻抗。
（4）在高壓端接上電壓表電阻或電容分壓器，其輸出經測量電纜接到后面板試驗電壓輸入插座30。
（5）在未加試驗電壓的情況下，將JF-2006校正脈沖發生器的輸出接試品兩端。
2、使用步驟
（1）開機準備：將時基顯示方式置于“橢圓”。
（2）放電量的校正：按圖接好線后，在未加試驗電壓之前
用LJF-2006校正脈沖發生器予以校正。
注意：方波測量盒應盡量靠近試品的高壓端。紅端子引線接高壓端。
然后調節放大器增益調節，使該注入脈沖高度適當（示波屏上高度2cm以下），使數字表讀數值與注入的已知電量相符。調定后放大器細調旋鈕的位置不能再改變，需保持與校正時相同。
校正完成后必須去掉校正方波發生器與試驗回路的連接。
（3）測試操作：
接通高壓試驗回路電源，零標開關至“通”位置，緩緩升高試驗電壓，橢圓上出現兩個零標脈沖。
旋轉“橢圓旋轉”開關，使橢圓旋轉到預期的放電處于*有利于觀測的位置，連續升高電壓，注意**次出現的持續放電，當放電量超過規定的*低值時的電壓即為局部放電起始電壓。
在規定的試驗電壓下，觀測到放電脈沖信號后，調節放大器粗調開關（注意：細調旋鈕的位置不能再變動），使顯示屏上放電脈沖高度在0.2~2cm之間（數字電壓表上的PC讀數有效數字不能超過120.0），超過120至需要降低增益檔測量。
注意：
本儀器使用數字表顯示放電量，其滿度值定為100超過該值即為過載，不能保證精度，超過該值需撥動增益粗調開關轉換到低增益檔。
試驗過程中常會發現有各種干擾，對于固定相位的干擾，可用時間窗裝置來避開。合上開關用一個或兩個時間窗，并調節門寬位置來改變橢圓上加亮區域（黃色）的寬度和位置，使其避開干擾脈沖之處，用時間窗裝置可以分別測量產生于兩個半波內的放電量。
三倍頻感應法的試驗步驟：將高頻電源接入儀器后面板的高頻電源插座，并將電源開關置于“開”的位子，其他試驗方式同前試驗。
打印報告：完成試驗后，若需要記錄試驗數據，只需要按鎖定按鍵，然后按打印按鈕就可以直接打印試驗數據報告。
第六章 抗干擾措施和局部放電圖譜簡介
對于局部放電實驗我們*怕的就是干擾，下面簡單介紹一下實驗中可能遇到的干擾以及抗干擾的方法：
測量的干擾分類
干擾有來自電網的和來自空間的。按表現形式分又分為固定的和移動的。主要的干擾源有以下一些：
GB3 ①懸浮電位物體放電，通過對地雜散電容耦合
GB3 ②外部**電暈
GB3 ③可控硅元件在鄰近運行
GB3 ④繼電器，接觸器，輝光管等物品
GB3 ⑤接觸**
GB3 ⑥無線電干擾
GB3 ⑦熒光燈干擾
GB3 ⑧電動機干擾
GB3 ⑨中高頻工業設備
（二）抗干擾方法
采用帶調壓器，隔離變壓器和濾波器的控制電源
設置屏蔽室，可只屏蔽試驗回路部分
可靠的單點接地，將試驗回路系統設計成單點接地結構，接地電阻要小，接地點要與一般試驗室的地網及電力網中線分開。
采用高壓濾波器
用平衡法或橋式試驗電路
利用時間窗，使固定相位干擾處于亮窗之外
采用較窄頻帶，或用頻帶躲開干擾大的頻率范圍
在高壓端加裝高壓屏蔽罩或半導體橡膠帽以防電暈干擾
試驗電路遠離周圍物體，尤其是懸浮的金屬固體！
（三）初做實驗者對波形辨認還是有一定困難的，下面就簡單介紹一 放電類型和干擾的初步辯認：
1．
典型的內部氣泡放電的波形特點：(圖 5—01)
A．放電主要顯示在試驗電壓由零升到峰值的兩個橢圓象限內。
B．在起始電壓Ui時，放電通常發生在峰值附近，試驗電壓超過Ui時，放電向零相位延伸。
C．兩個相反半周上放電次數和幅值大致相同（*大相差至3：1）。
D．放電波形可辯。
E．q與試驗電壓關系不大，但放電重復率n隨試驗電壓上升而加大。
F．局部放電起始電壓Ui和熄滅電壓Ue基本相等。
G．放電量q與時間關系不大。
H．如果放電量隨試驗電壓上升而增大，并且放電波形變得模糊不可分辨，則往往是介質內含有多種大小氣泡，或是介質表面放電。如果除了上述情況，而且放電幅值隨加壓時間而迅速增長（可達100倍或更多），則往往是絕緣液體中的氣泡放電，典型例子是油浸紙電容器的放電。
(圖 5—01)
2．
金屬與介質間氣泡的放電波形特點：
正半周有許多幅值小的放電，負半周有很少幅值大的放電。幅值相差可達10﹕1，其他同上。
典型例子：絕緣與導體粘附**的聚乙烯電纜的放電。q與試驗電壓關系不大。（圖 5—02）
如果隨試驗電壓升高，放電幅值也增大，而且放電波形變得模糊，則往往是含有不同大小多個氣泡，或是外露的金屬與介質表面之間出現的表面放電。（圖 5—03）
（四）下面介紹一些主要視為干擾或非正常放電的情況：
（1）懸浮電位物體放電波形特點：
在電壓峰值前的正負半周兩個象限里出現幅值。脈沖數和位置均相同，成對出現。放電可移動，但它們間的相互間隔不變，電壓升高時，根數增加，間隔縮小，但幅值不變。有時電壓升到一定值時會消失，但降至此值又重新出現。
原因：金屬間的間隙產生的放電，間隙可能是地面上兩個獨立的金屬體間（通過雜散電容耦合）也可能在樣品內，例如屏蔽松散。
（圖 5—04）
（2）外部**電暈放電波形特點：
起始放電僅出現在試驗電壓的一個半周上，并對稱地分布在峰值兩側。試驗電壓升高時，放電脈沖數急劇增加，但幅值不變，并向兩側伸展。
原因：空氣中高壓**或邊緣放電。如果放電出現在負半周，表示**處于高壓，如果放電出現在正半周則**處于地電位。
(圖5—05)
（3）液體介質中的**電暈放電波形特點：
（圖 5—06）
放電出現在兩個半周上，對稱地分布在峰值兩側。每一組放電均為等間隔，但一組幅值較大的放電先出現，隨試驗電壓升高而幅值增大，不一定等幅值；一組幅值小的放電幅值相等，并且不隨電壓變化。
原因：絕緣液體中**或邊緣放電。如一組大的放電出現在正半周，則**處于高壓；如出現在負半周，則**地電位。
（4）接觸**的干擾圖形。
（圖 5—07）
波形特點：對稱地分布在實驗電壓零點兩側，幅值大致不變，但在實驗電壓峰值附近下降為零。波形粗糙不清晰，低電壓下即出現。電壓升高時，幅值緩慢增加，有時在電壓達到一定值后會完全消失。
原因：實驗回路中金屬與金屬**接觸的連接點；塑料電纜屏蔽層半導體粒子的**接觸；電容器鋁箔的插接片等（可將電容器充電然后短路來消除）。
（5）可控硅元件的干擾圖形。
（圖5—08）
波形特點：位置固定，每只元件產生一個獨立訊號。電路接通，電磁耦合效應增強時訊號幅值增加，試驗調壓時，該脈沖訊號會發生高頻波形展寬，從而占位增加。
原因：鄰近有可控硅元件在運行。
（6）繼電器、接觸器、輝光管等動作的干擾。
（圖 5—09）
波形特點：分布不規則或間斷出現，同試驗電壓無關。
原因：熱繼電器、接觸器和各種火花試驗器及有火花放電的記錄器動作時產生。
（7）熒光燈的干擾圖形。
（圖5—10）
波形特點：欄柵狀，幅值大致相同的脈沖，伴有正負半波對稱出現的兩簇脈沖組。
原因：熒光燈照明
（8）無線電干擾的干擾圖形。
（圖5—11）
波形特點：幅值有調制的高頻正弦波，同試驗電壓無關。
原因：無線電話、廣播話筒、載波通訊等。
（9）電動機干擾的干擾圖形（圖5—12）
（圖5—12）
波形特點：放電波形沿橢圓基線均勻分布，每個單個訊號呈“山”字形。
原因：帶換向器的電動機，如電扇、電吹風運轉時的干擾。
（10）中高頻工業設備的干擾圖形。 繼電器、接觸器、輝光管等動作的干擾。
（圖5—13）
波形特點：連續發生，僅出現在電源波形的半周內。
原因：感應加熱裝置和頻率接近檢測頻率的超聲波發生器等。
（11）鐵芯磁飽和諧波的干擾圖形（圖5—14）
（圖5—14）
波形特點：較低頻率的諧波振蕩，出現在兩個半周上，幅值隨試驗電壓升高而增大，不加電壓時消失，有重現性。
原因：試驗系統各種鐵芯設備（試驗變壓器、濾波電抗器、隔離變壓器等）磁飽和產生的諧振。
（12）電極在電場方向機械移動的干擾圖形。
（圖 5—15）
波形特點：僅在試驗電壓的半周（正或負）上出現的與峰值對稱的兩個放電響應，幅值相等，而脈沖方向相反，起始電壓時兩個脈沖在峰值處靠得很近，電壓升高時逐漸分開，并可能產生新的脈沖訊號對。
原因：電極的部分（尤其是金屬箔電極）在電場作用下運動。
（14）漏電痕跡和樹枝放電
波形特點：放電訊號波形與一般典型圖象均不符合，波形不規則不確定。
原因：玷污了的絕緣上漏電或絕緣局部過熱而致的碳化痕跡或樹枝通道。
在放電測試中必須保證測試回路中其它元件（試驗變壓器、阻塞線圈、耦合電容器、電壓表電阻等）均不放電，常用的辦法是用與試品電容數量級相同的無放電電容或絕緣結構取代試品試驗，看看有無放電。
了解了各種放電類型的波形特征，來源以及識別干擾后就可按具體情況采取措施排除干擾和正確地進行放電測量了。
第七章 局部放電測試當中應該注意的問題
實驗前，試品的絕緣表面（尤其是高壓端）應作清潔化處理
2、 各連接點應接觸良好，尤其是高壓端不要留下尖銳的接點，高壓導線應盡可能粗以防電暈，可用蛇皮管。
輸入單元要盡量靠近試品，而且接地要可靠，接地線*好用
編織銅帶。主機也須接地，以保證**。
試驗回路盡可能緊湊。即高壓連線盡可能短，試驗回路所圍面
積盡可能小。
在進行110KV及以上等級的局放試驗時，試品周圍的懸浮金屬
物體應妥善接地。
考慮到油浸式試品局部放電存在滯后效應，因此在局放試驗前
幾小時，不要對試品施加超過局部放電試驗電壓的高電壓。
第八章 附件
1、專用測量電纜線6米 2根
2、電源線 1根
3、1.0A保險絲 4根
4、使用說明書 1份
韓國總統文在寅上臺兩周后，5月22日，韓國《韓民族日報》發表專欄文章稱，目前新政府在困難重重的情況下，出發還算順利。然而一切才剛剛開始，推行文在寅式外交安保政策，須從擺脫“薩德神化”開始。預計文在寅政府的五年外交安保政策很可能會從“薩德”問題著手，以核問題告終。如果不盡早擺脫“薩德神化”，所有問題可能將事與愿違。
文章稱，韓國上屆政權**下的“安保積弊”非同小可。朝鮮核問題惡化與朝鮮半島、東北亞對峙格局進一步深化，圍繞“薩德”系統部署的矛盾和成為新導火索的韓日“慰安婦”協議，以及更加嚴重的防衛事業腐敗等均在動搖韓國外交**根基。造成這一情況的主要原因在于韓國不恰當、不健全的政策，但這一事實與韓國被評為全球前**國的地位并不相符。所以，韓國需要去探察背后的問題所在，將目光轉向打算通過安保政治化來獲取利益的“安保生意人”的心理，以及將外交安保問題神秘化的“安保神化”。
文章指出，當下韓國外交安保目標十分明確：解決朝鮮核問題與擴大和平統一基礎，建立朝鮮半島、東北亞的和平機制與共存共榮，提高對地球村課題的貢獻等。然而，這與限制所有行動范圍的安保神化卻是格格不入。
“薩德”本質：美國維持**霸權戰略目的的**
文章寫道，薩德問題便是個中典型。從20世紀90年代朝鮮開始核試驗之前，美國便一直想要建立全球導彈防御系統。東亞導彈防御正是其中一部分，而“薩德”又是東亞導彈防御的支柱之一。換句話說，“薩德”的本質是美國出于維持**霸權戰略目的所采取的**。但是樸槿惠政府卻誤導輿論，謊稱在慶北星州部署薩德是出于韓國的迫切需要，韓國政府內外的安保保守派們進而強辯稱“薩德是能夠抵擋朝鮮核導彈的****”。由此一來，催生了諸如“薩德是**出路”的薩德萬能論、“重商薩德部署將破壞韓美同盟”等主張，以及薩德神化。美國總統特朗普要求“韓國承擔薩德10億美元費用”正是在這種神化上的順水推舟。
因此，文章分析稱，不僅是“薩德”，只要是韓國安保與國家戰略所必需的**，都應由本國來生產或引進。如此一來，不論是哪個國家惹是生非，韓國都可以堂堂正正地去回擊。但是”薩德”從一開始就不是這種**，即便如此卻仍被歪曲邏輯步步緊逼，結果造成副作用越來越大。如果現在還不拉下神化的帷幕，及時調整糾正，未來文在寅政府的外交安保政策將會**受挫。韓美同盟也并非脆弱到會因為重商“薩德”部署而被動搖。
積弊根源：所謂的“韓國命運完全依靠強大美國監護人”神話
文章寫道，歸根結底，諸多安保積弊其實都是同根同源，即所謂“韓國的命運就是要完全依靠強大的美國監護人”這一神化。從而產生了掩蓋美國牽制中國的戰略與妨礙強化韓美日**安保合作的韓日矛盾，盡早達成慰安婦協議，并試圖敲定薩德部署事宜的行動。在從未間斷的防衛事業腐敗背景下，韓國陷入了每當出現安保問題之時，便輕易地從引進美國**上尋找出口的狀態。
文章將安保神化描述為“增強韓國國家力量，以及在符合國家藍圖情況下解決朝鮮半島、東北亞相關問題”的致命絆腳石，并稱“被埋沒在神化之中的韓國，出現了一事無成的安保虛無主義。這種心理導致朝鮮半島**結構惡化”。
為此，文章認為，韓國對造成不久前中韓、日韓關系的局面，有著不可推卸的責任。如果無法根據自己的判斷，向著明確的目標前進，沒有一個國家能夠為韓國的命運保駕護航。雖然韓美同盟必不可少，但韓國如果只把自己當做是美國的附屬，那其他相關國家也沒有理由真誠地尊重韓國。